Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

RCJ050N25TL

RCJ050N25TL

Nur als Referenz

Teilenummer RCJ050N25TL
PNEDA Teilenummer RCJ050N25TL
Beschreibung MOSFET N-CH 250V 5A LPT
Hersteller Rohm Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 13.974
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 10 - Feb 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RCJ050N25TL Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRCJ050N25TL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
RCJ050N25TL, RCJ050N25TL Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 1.302,65 KB)
PDFRCJ050N25TL Datenblatt Cover
RCJ050N25TL Datenblatt Seite 2 RCJ050N25TL Datenblatt Seite 3 RCJ050N25TL Datenblatt Seite 4 RCJ050N25TL Datenblatt Seite 5 RCJ050N25TL Datenblatt Seite 6 RCJ050N25TL Datenblatt Seite 7 RCJ050N25TL Datenblatt Seite 8 RCJ050N25TL Datenblatt Seite 9 RCJ050N25TL Datenblatt Seite 10 RCJ050N25TL Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • RCJ050N25TL Datasheet
  • where to find RCJ050N25TL
  • Rohm Semiconductor

  • Rohm Semiconductor RCJ050N25TL
  • RCJ050N25TL PDF Datasheet
  • RCJ050N25TL Stock

  • RCJ050N25TL Pinout
  • Datasheet RCJ050N25TL
  • RCJ050N25TL Supplier

  • Rohm Semiconductor Distributor
  • RCJ050N25TL Price
  • RCJ050N25TL Distributor

RCJ050N25TL Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)250V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.36Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.5nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds350pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.56W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketLPTS (SC-83)
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SUP90142E-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

ThunderFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

90A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

87nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

31200pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

375W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

IRLMS2002

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1310pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta)

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

Micro6™(SOT23-6)

Paket / Fall

SOT-23-6

SIA436DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.2nC @ 5V

Vgs (Max)

±5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1508pF @ 4V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SC-70-6 Single

Paket / Fall

PowerPAK® SC-70-6

2N7002WKX-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

115mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

200mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-323

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

IRFZ48ZL

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

61A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 37A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1720pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

91W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-262

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Kürzlich verkauft

S14100038

S14100038

Wurth Electronics

CMC 560UH 20A 2LN TH

L6221AD

L6221AD

STMicroelectronics

TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 20SOIC

NCN8025AMNTXG

NCN8025AMNTXG

ON Semiconductor

IC SMART CARD IC2 24-QFN

TZB4R500AB10R00

TZB4R500AB10R00

Murata

CAP TRIMMER 7-50PF 50V SMD

AD7923BRUZ

AD7923BRUZ

Analog Devices

IC ADC 12BIT SAR 16TSSOP

39213150000

39213150000

Littelfuse

FUSE BRD MNT 3.15A 250VAC RADIAL

IRFR7440PBF

IRFR7440PBF

Infineon Technologies

MOSFET N CH 40V 90A DPAK

PI3VDP411LSRZBE

PI3VDP411LSRZBE

Diodes Incorporated

IC DEMULTIPLEXER 48TQFN

MPZ1608S221ATA00

MPZ1608S221ATA00

TDK

FERRITE BEAD 220 OHM 0603 1LN

MMA8452QR1

MMA8452QR1

NXP

ACCELEROMETER 2-8G I2C 16QFN

AD8062ARZ

AD8062ARZ

Analog Devices

IC OPAMP VFB 2 CIRCUIT 8SOIC

SUCS62405C

SUCS62405C

Cosel

DC DC CONVERTER 5V