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RBE1VAM20ATR

RBE1VAM20ATR

Nur als Referenz

Teilenummer RBE1VAM20ATR
PNEDA Teilenummer RBE1VAM20ATR
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 20V 1A TUMD2M
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 8.082
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 26 - Jan 31 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RBE1VAM20ATR Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRBE1VAM20ATR
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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RBE1VAM20ATR Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)20V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If530mV @ 1A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr200µA @ 20V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall2-SMD, Flat Lead
LieferantengerätepaketTUMD2M
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle125°C (Max)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

120V

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

790mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

35µA @ 120V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-277, 3-PowerDFN

Lieferantengerätepaket

TO-277-3

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

1N5196UR

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

225V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25nA @ 225V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-213AA (Glass)

Lieferantengerätepaket

DO-213AA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

VS-SD2000C04L

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

2100A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.55V @ 6000A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

60mA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Clamp On

Paket / Fall

DO-200AB, B-PUK

Lieferantengerätepaket

DO-200AB, B-PUK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

V35PW60-M3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®, TMBS®

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

35A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

720mV @ 35A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5mA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

3600pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

SlimDPAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

UFS120JE3/TR13

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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