R8002ANX
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| Teilenummer | R8002ANX |
| PNEDA Teilenummer | R8002ANX |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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R8002ANX Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | R8002ANX |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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R8002ANX Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.7nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 35W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220FM |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
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