IXTP3N100P
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Teilenummer | IXTP3N100P |
PNEDA Teilenummer | IXTP3N100P |
Beschreibung | MOSFET N-CH 1000V 3A TO-220 |
Hersteller | IXYS |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.748 |
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IXTP3N100P Ressourcen
Marke | IXYS |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IXTP3N100P |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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IXTP3N100P Technische Daten
Hersteller | IXYS |
Serie | PolarVHV™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 125W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
Paket / Fall | TO-220-3 |
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