R5207ANDTL
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| Teilenummer | R5207ANDTL |
| PNEDA Teilenummer | R5207ANDTL |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.302 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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R5207ANDTL Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | R5207ANDTL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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R5207ANDTL Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 525V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 3.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 40W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | CPT3 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 89mOhm @ 1.32A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7nC @ 5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 236mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SC-89-6 Paket / Fall SOT-563, SOT-666 |
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