Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

QS8J1TR

QS8J1TR

Nur als Referenz

Teilenummer QS8J1TR
PNEDA Teilenummer QS8J1TR
Beschreibung MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Hersteller Rohm Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.340
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

QS8J1TR Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerQS8J1TR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
QS8J1TR, QS8J1TR Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 184,39 KB)
PDFQS8J1TR Datenblatt Cover
QS8J1TR Datenblatt Seite 2 QS8J1TR Datenblatt Seite 3 QS8J1TR Datenblatt Seite 4 QS8J1TR Datenblatt Seite 5 QS8J1TR Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • QS8J1TR Datasheet
  • where to find QS8J1TR
  • Rohm Semiconductor

  • Rohm Semiconductor QS8J1TR
  • QS8J1TR PDF Datasheet
  • QS8J1TR Stock

  • QS8J1TR Pinout
  • Datasheet QS8J1TR
  • QS8J1TR Supplier

  • Rohm Semiconductor Distributor
  • QS8J1TR Price
  • QS8J1TR Distributor

QS8J1TR Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2450pF @ 6V
Leistung - max1.5W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
LieferantengerätepaketTSMT8

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FDMD8680

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

66A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

73nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5330pF @ 40V

Leistung - max

39W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Lieferantengerätepaket

8-Power 5x6

CSD87355Q5DT

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Logic Level Gate, 5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

45A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1860pF @ 15V

Leistung - max

2.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 155°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerLDFN

Lieferantengerätepaket

8-LSON (5x6)

NTLUD3A50PZTAG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

920pF @ 15V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-UDFN (2x2)

ALD1101APAL

Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75Ohm @ 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

SQJQ904E-T1_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5900pF @ 20V

Leistung - max

75W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® 8 x 8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 8 x 8 Dual

Kürzlich verkauft

HSMS-2820-TR1G

HSMS-2820-TR1G

Broadcom

RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT23-3

C8051F326-GM

C8051F326-GM

Silicon Labs

IC MCU 8BIT 16KB FLASH 28QFN

74HC74A

74HC74A

MICROSS/On Semiconductor

IC FF D-TYPE DUAL DIE

MC33174DG

MC33174DG

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC

STM8S003F3P6

STM8S003F3P6

STMicroelectronics

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 20TSSOP

1SS355TE-17

1SS355TE-17

Rohm Semiconductor

DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

SL16010DCT

SL16010DCT

Silicon Labs

IC CLOCK AMD GRAPHICS 10TDFN

LNJ208R8ARA

LNJ208R8ARA

Panasonic Electronic Components

LED RED SS TYPE LED SMD

LTC3854EMSE#PBF

LTC3854EMSE#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK 12MSOP

LT1764EQ#TRPBF

LT1764EQ#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 3A 5DDPAK

MC74HC373ADWR2G

MC74HC373ADWR2G

ON Semiconductor

IC LATCH OCTAL 3ST TRANS 20SOIC

MPSA70RLRMG

MPSA70RLRMG

ON Semiconductor

TRANS PNP 40V 0.1A TO-92