PUMH10,115
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Teilenummer | PUMH10,115 |
PNEDA Teilenummer | PUMH10-115 |
Beschreibung | TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP |
Hersteller | Nexperia |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 669.474 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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PUMH10 Ressourcen
Marke | Nexperia |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | PUMH10,115 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt |
Datenblatt |
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PUMH10 Technische Daten
Hersteller | Nexperia USA Inc. |
Serie | - |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung - max | 300mW |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Lieferantengerätepaket | 6-TSSOP |
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Nexperia Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA Frequenz - Übergang - Leistung - max 300mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-666 |
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