DDA122LU-7-F
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| Teilenummer | DDA122LU-7-F |
| PNEDA Teilenummer | DDA122LU-7-F |
| Beschreibung | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.346 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DDA122LU-7-F Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DDA122LU-7-F |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt |
| Datenblatt |
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DDA122LU-7-F Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 220Ohms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 56 @ 10mA, 5V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | 200MHz |
| Leistung - max | 200mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-363 |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA Frequenz - Übergang - Leistung - max 300mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-666 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA Frequenz - Übergang 230MHz Leistung - max 480mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket DFN1412-6 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 470Ohms Widerstand - Emitterbasis (R2) 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 56 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Frequenz - Übergang 200MHz Leistung - max 150mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA Frequenz - Übergang - Leistung - max 300mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket 6-TSSOP |
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