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PTFB260605ELV1XWSA1

PTFB260605ELV1XWSA1

Nur als Referenz

Teilenummer PTFB260605ELV1XWSA1
PNEDA Teilenummer PTFB260605ELV1XWSA1
Beschreibung IC FET RF LDMOS
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.478
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 26 - Dez 31 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PTFB260605ELV1XWSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPTFB260605ELV1XWSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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PTFB260605ELV1XWSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie*
Transistortyp-
Frequenz-
Gewinn-
Spannungstest-
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest-
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

3.4GHz ~ 3.6GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

3.1A

Rauschzahl

-

Stromtest

130mA

Leistung - Leistung

2W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-975C

Lieferantengerätepaket

CDFM2

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.81GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

15.4dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.1A

Leistung - Leistung

580W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1258-7

Lieferantengerätepaket

SOT-1258-7

BG3130RE6327BTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

2 N-Channel (Dual)

Frequenz

800MHz

Gewinn

24dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

25mA

Rauschzahl

1.3dB

Stromtest

14mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

8V

Paket / Fall

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

PG-SOT363-6

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.81GHz

Gewinn

18.2dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

800mA

Leistung - Leistung

72W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

CE3520K3

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

20GHz

Gewinn

13.8dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

15mA

Rauschzahl

0.8dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

125mW

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

4-Micro-X

Lieferantengerätepaket

4-Micro-X

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