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BG3130RE6327BTSA1

BG3130RE6327BTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BG3130RE6327BTSA1
PNEDA Teilenummer BG3130RE6327BTSA1
Beschreibung MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.506
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BG3130RE6327BTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBG3130RE6327BTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BG3130RE6327BTSA1, BG3130RE6327BTSA1 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 80,79 KB)
PDFBG3130RH6327XTSA1 Datenblatt Cover
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BG3130RE6327BTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Transistortyp2 N-Channel (Dual)
Frequenz800MHz
Gewinn24dB
Spannungstest5V
Nennstrom (Ampere)25mA
Rauschzahl1.3dB
Stromtest14mA
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung8V
Paket / Fall6-VSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketPG-SOT363-6

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.3GHz

Gewinn

22.7dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

250W

Spannung - Nennspannung

120V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

BLF879PSIN

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

BF991,215

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

100MHz

Gewinn

29dB

Spannungstest

10V

Nennstrom (Ampere)

20mA

Rauschzahl

0.7dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

20V

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143B

PXFC192207SHV1R250XTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

ATF-331M4-BLK

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

2GHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

4V

Nennstrom (Ampere)

305mA

Rauschzahl

0.6dB

Stromtest

60mA

Leistung - Leistung

19dBm

Spannung - Nennspannung

5.5V

Paket / Fall

0505 (1412 Metric)

Lieferantengerätepaket

MiniPak 1412

Kürzlich verkauft

2N6433

2N6433

Central Semiconductor Corp

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

MAX3490ESA+T

MAX3490ESA+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 8SOIC

AD9765ASTZ

AD9765ASTZ

Analog Devices

IC DAC 12BIT A-OUT 48LQFP

SML-310MTT86

SML-310MTT86

Rohm Semiconductor

LED GREEN CLEAR 0603 SMD

MTP50P03HDLG

MTP50P03HDLG

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB

AT28C16-15PC

AT28C16-15PC

Microchip Technology

IC EEPROM 16K PARALLEL 24DIP

MAX17043G+T

MAX17043G+T

Maxim Integrated

IC 2-WIRE FG MODEL GAUGE LO BATT

L7915CT

L7915CT

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IC REG LINEAR -15V 1.5A TO3

ESDALC5-1BM2

ESDALC5-1BM2

STMicroelectronics

TVS DIODE 5V SOD882

LTST-S326KGJRKT

LTST-S326KGJRKT

Lite-On Inc.

LED GREEN/RED CLEAR CHIP SMD R/A

TAJD686K016RNJ

TAJD686K016RNJ

CAP TANT 68UF 10% 16V 2917

MMSS8550-L-TP

MMSS8550-L-TP

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TRANS PNP 25V 1.5A SOT-23