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PTF180101S V1

PTF180101S V1

Nur als Referenz

Teilenummer PTF180101S V1
PNEDA Teilenummer PTF180101S-V1
Beschreibung FET RF 65V 1.99GHZ H-32259-2
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.582
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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PTF180101S V1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPTF180101S V1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
PTF180101S V1, PTF180101S V1 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 310,6 KB)
PDFPTF180101S V1 Datenblatt Cover
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PTF180101S V1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieGOLDMOS®
TransistortypLDMOS
Frequenz1.99GHz
Gewinn19dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)1µA
Rauschzahl-
Stromtest180mA
Leistung - Leistung10W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallH32259-2
LieferantengerätepaketH-32259-2

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

768MHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

2A

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H-34288G-4/2

Lieferantengerätepaket

H-34288G-4/2

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.5GHz ~ 2.7GHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

430mA

Leistung - Leistung

3W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1112A

Lieferantengerätepaket

CDFM6

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.8MHz ~ 400MHz

Gewinn

26.4dB

Spannungstest

65V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

600W

Spannung - Nennspannung

179V

Paket / Fall

NI-780GS-4L

Lieferantengerätepaket

NI-780GS-4L

PD84010S-E

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

870MHz

Gewinn

16.3dB

Spannungstest

7.5V

Nennstrom (Ampere)

8A

Rauschzahl

-

Stromtest

300mA

Leistung - Leistung

2W

Spannung - Nennspannung

40V

Paket / Fall

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Straight Lead)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.92GHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

550mA

Leistung - Leistung

37W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

NI-780S-4

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