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PSMN1R1-25YLC,115

PSMN1R1-25YLC,115

Nur als Referenz

Teilenummer PSMN1R1-25YLC,115
PNEDA Teilenummer PSMN1R1-25YLC-115
Beschreibung MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
Hersteller Nexperia
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PSMN1R1-25YLC Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPSMN1R1-25YLC,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
PSMN1R1-25YLC, PSMN1R1-25YLC Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 968,19 KB)
PDFPSMN1R1-25YLC Datenblatt Cover
PSMN1R1-25YLC Datenblatt Seite 2 PSMN1R1-25YLC Datenblatt Seite 3 PSMN1R1-25YLC Datenblatt Seite 4 PSMN1R1-25YLC Datenblatt Seite 5 PSMN1R1-25YLC Datenblatt Seite 6 PSMN1R1-25YLC Datenblatt Seite 7 PSMN1R1-25YLC Datenblatt Seite 8 PSMN1R1-25YLC Datenblatt Seite 9 PSMN1R1-25YLC Datenblatt Seite 10 PSMN1R1-25YLC Datenblatt Seite 11

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PSMN1R1-25YLC Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.15mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.95V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs83nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5287pF @ 12V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)215W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketLFPAK56, Power-SO8
Paket / FallSC-100, SOT-669

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SPD50N03S2L-06

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 85µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2530pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

136W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STE110NS20FD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MESH OVERLAY™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

110A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

504nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

Paket / Fall

ISOTOP

SQJ479EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

32A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

68W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

STW36N55M5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ V

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

550V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

33A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2950pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

190W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247

Paket / Fall

TO-247-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.15V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4840pF @ 12V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

62.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

Kürzlich verkauft

LQW2BHN22NJ03L

LQW2BHN22NJ03L

Murata

FIXED IND 22NH 720MA 90 MOHM SMD

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TDK

FIXED IND 2.2UH 4.3A 14.6 MOHM

LTST-C190TGKT

LTST-C190TGKT

Lite-On Inc.

LED GREEN CLEAR CHIP SMD

EMZA250ADA101MF80G

EMZA250ADA101MF80G

United Chemi-Con

CAP ALUM 100UF 20% 25V SMD

AD734AQ

AD734AQ

Analog Devices

IC MULTIPLIER/DIVIDER 14CDIP

S-1313A33-A4T1U3

S-1313A33-A4T1U3

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IC REG LINEAR 3.3V 200MA HSNT4-A

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AD7793BRUZ

Analog Devices

IC ADC 24BIT SIGMA-DELTA 16TSSOP

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LED RED CLEAR CHIP SMD

MMBT2222ALT1G

MMBT2222ALT1G

ON Semiconductor

TRANS NPN 40V 0.6A SOT23

T520V337M2R5ATE025

T520V337M2R5ATE025

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CAP TANT POLY 330UF 2.5V 2917

74VHC14MTC

74VHC14MTC

ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14TSSOP

NL453232T-3R3J-PF

NL453232T-3R3J-PF

TDK

FIXED IND 3.3UH 355MA 800 MOHM