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STE110NS20FD

STE110NS20FD

Nur als Referenz

Teilenummer STE110NS20FD
PNEDA Teilenummer STE110NS20FD
Beschreibung MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
Hersteller STMicroelectronics
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STE110NS20FD Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTE110NS20FD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STE110NS20FD, STE110NS20FD Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 258,3 KB)
PDFSTE110NS20FD Datenblatt Cover
STE110NS20FD Datenblatt Seite 2 STE110NS20FD Datenblatt Seite 3 STE110NS20FD Datenblatt Seite 4 STE110NS20FD Datenblatt Seite 5 STE110NS20FD Datenblatt Seite 6 STE110NS20FD Datenblatt Seite 7 STE110NS20FD Datenblatt Seite 8 STE110NS20FD Datenblatt Seite 9 STE110NS20FD Datenblatt Seite 10 STE110NS20FD Datenblatt Seite 11

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STE110NS20FD Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieMESH OVERLAY™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.110A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs504nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds7900pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)500W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
LieferantengerätepaketISOTOP®
Paket / FallISOTOP

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

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FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

45A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

50W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

72mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 5V

Vgs (Max)

16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta)

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 10V

FET-Funktion

Schottky Diode (Body)

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 7.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.03nC @ 5V

Vgs (Max)

±5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

732pF @ 4V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.4W (Ta), 13W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

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-

Verlustleistung (max.)

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