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PSMN027-100XS,127

PSMN027-100XS,127

Nur als Referenz

Teilenummer PSMN027-100XS,127
PNEDA Teilenummer PSMN027-100XS-127
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 23.4A TO220F
Hersteller Nexperia
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PSMN027-100XS Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPSMN027-100XS,127
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
PSMN027-100XS, PSMN027-100XS Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 356,9 KB)
PDFPSMN027-100XS Datenblatt Cover
PSMN027-100XS Datenblatt Seite 2 PSMN027-100XS Datenblatt Seite 3 PSMN027-100XS Datenblatt Seite 4 PSMN027-100XS Datenblatt Seite 5 PSMN027-100XS Datenblatt Seite 6 PSMN027-100XS Datenblatt Seite 7 PSMN027-100XS Datenblatt Seite 8 PSMN027-100XS Datenblatt Seite 9 PSMN027-100XS Datenblatt Seite 10 PSMN027-100XS Datenblatt Seite 11

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PSMN027-100XS Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.23.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs26.8mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1624pF @ 50V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)41.1W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220F
Paket / FallTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

77mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

85W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

IRLR8103

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

89A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

89W (Ta)

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

C2M0040120D

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

Z-FET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

115nC @ 20V

Vgs (Max)

+25V, -10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1893pF @ 1000V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

330W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

IRFR5305TRL

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

31A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

110W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TP2635N3-G

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

FET-Typ

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Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

350V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180mA (Tj)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15Ohm @ 300mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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-

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±20V

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300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Paket / Fall

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