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PMZB550UNEYL

PMZB550UNEYL

Nur als Referenz

Teilenummer PMZB550UNEYL
PNEDA Teilenummer PMZB550UNEYL
Beschreibung MOSFET N-CH 30V SOT883
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 7.218
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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PMZB550UNEYL Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMZB550UNEYL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
PMZB550UNEYL, PMZB550UNEYL Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 706,5 KB)
PDFPMZB550UNEYL Datenblatt Cover
PMZB550UNEYL Datenblatt Seite 2 PMZB550UNEYL Datenblatt Seite 3 PMZB550UNEYL Datenblatt Seite 4 PMZB550UNEYL Datenblatt Seite 5 PMZB550UNEYL Datenblatt Seite 6 PMZB550UNEYL Datenblatt Seite 7 PMZB550UNEYL Datenblatt Seite 8 PMZB550UNEYL Datenblatt Seite 9 PMZB550UNEYL Datenblatt Seite 10 PMZB550UNEYL Datenblatt Seite 11

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PMZB550UNEYL Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.590mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs670mOhm @ 590mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.1nC @ 4.5V
Vgs (Max)±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds30.3pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDFN1006B-3
Paket / Fall3-XFDFN

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HUFA75329P3

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

49A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 49A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 20V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1060pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

128W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

44A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

270nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

520W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

IRFP4710PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

72A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6160pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

190W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Paket / Fall

TO-247-3

R6035ENZC8

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

35A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

102mOhm @ 18.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2720pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

120W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3PF

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

DMTH4004SK3-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68.6nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4305pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.9W (Ta), 180W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

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