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PMEG4010ESBZ

PMEG4010ESBZ

Nur als Referenz

Teilenummer PMEG4010ESBZ
PNEDA Teilenummer PMEG4010ESBZ
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 40V 1A DSN1006-2
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 6.840
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PMEG4010ESBZ Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMEG4010ESBZ
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
PMEG4010ESBZ, PMEG4010ESBZ Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 692,44 KB)
PDFPMEG4010ESBZ Datenblatt Cover
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PMEG4010ESBZ Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)40V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If610mV @ 1A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)2.9ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr40µA @ 40V
Kapazität @ Vr, F.22pF @ 10V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall2-XDFN
LieferantengerätepaketDSN1006-2
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

850mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

250pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-50°C ~ 125°C

R2020

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

V8PAN50-M3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

TMBS®

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

3.7A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

420mV @ 4A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1.5mA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

1060pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

DO-221BC (SMPA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

VS-30EPF02PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.41V @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

160ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-2

Lieferantengerätepaket

TO-247AC Modified

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

APT60D40BG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

60A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 60A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

250µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-2

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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