PMDPB55XP,115
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| Teilenummer | PMDPB55XP,115 |
| PNEDA Teilenummer | PMDPB55XP-115 |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.492 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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PMDPB55XP Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PMDPB55XP,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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PMDPB55XP Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 785pF @ 10V |
| Leistung - max | 490mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 6-HUSON-EP (2x2) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870pF @ 25V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket PG-DSO-8 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 268pF @ 10V Leistung - max 510mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket DFN2020-6 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ II FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 16V Leistung - max 1.6W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate, 4V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 137mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 20V Leistung - max 1W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket SOT-28FL/VEC8 |
