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PHKD13N03LT,518

PHKD13N03LT,518

Nur als Referenz

Teilenummer PHKD13N03LT,518
PNEDA Teilenummer PHKD13N03LT-518
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 6.552
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PHKD13N03LT Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPHKD13N03LT,518
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
PHKD13N03LT, PHKD13N03LT Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 776,66 KB)
PDFPHKD13N03LT Datenblatt Cover
PHKD13N03LT Datenblatt Seite 2 PHKD13N03LT Datenblatt Seite 3 PHKD13N03LT Datenblatt Seite 4 PHKD13N03LT Datenblatt Seite 5 PHKD13N03LT Datenblatt Seite 6 PHKD13N03LT Datenblatt Seite 7 PHKD13N03LT Datenblatt Seite 8 PHKD13N03LT Datenblatt Seite 9 PHKD13N03LT Datenblatt Seite 10 PHKD13N03LT Datenblatt Seite 11

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PHKD13N03LT Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieTrenchMOS™
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.10.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.7nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds752pF @ 15V
Leistung - max3.57W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A, 8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 10V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

448pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

116mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

270nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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Lieferantengerätepaket

V2-PAK

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EPC

Hersteller

EPC

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Ta), 40A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

475pF @ 15V, 1960pF @ 15V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

DMHC6070LSD-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.1A, 2.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

731pF @ 20V

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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