PHK04P02T,518
Nur als Referenz
| Teilenummer | PHK04P02T,518 |
| PNEDA Teilenummer | PHK04P02T-518 |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.570 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 15 - Mär 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
PHK04P02T Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | PHK04P02T,518 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- PHK04P02T,518 Datasheet
- where to find PHK04P02T,518
- Nexperia
- Nexperia PHK04P02T,518
- PHK04P02T,518 PDF Datasheet
- PHK04P02T,518 Stock
- PHK04P02T,518 Pinout
- Datasheet PHK04P02T,518
- PHK04P02T,518 Supplier
- Nexperia Distributor
- PHK04P02T,518 Price
- PHK04P02T,518 Distributor
PHK04P02T Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 16V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.66A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 528pF @ 12.8V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 5W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller EPC Serie eGaN® FET-Typ N-Channel Technologie GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 90A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 31A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 16mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 5V Vgs (Max) +6V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1780pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket Die Paket / Fall Die |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23.1nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2480pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Hersteller Global Power Technologies Group Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.65Ohm @ 2.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 627pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 92.5W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket I-PAK Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.9nC @ 5V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 265pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 28W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D-Pak Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 150mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket UMT3F Paket / Fall SC-85 |
