RU1C001ZPTL
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| Teilenummer | RU1C001ZPTL |
| PNEDA Teilenummer | RU1C001ZPTL |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.202 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RU1C001ZPTL Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RU1C001ZPTL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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RU1C001ZPTL Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 15pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 150mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | UMT3F |
| Paket / Fall | SC-85 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 208A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 104A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14400pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 781W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket SP4 Paket / Fall SP4 |
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