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PDTA113ES,126

PDTA113ES,126

Nur als Referenz

Teilenummer PDTA113ES,126
PNEDA Teilenummer PDTA113ES-126
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
Hersteller NXP
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Auf Lager 4.248
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 27 - Apr 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PDTA113ES Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPDTA113ES,126
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
PDTA113ES, PDTA113ES Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 230,75 KB)
PDFPDTA113ES Datenblatt Cover
PDTA113ES Datenblatt Seite 2 PDTA113ES Datenblatt Seite 3 PDTA113ES Datenblatt Seite 4 PDTA113ES Datenblatt Seite 5 PDTA113ES Datenblatt Seite 6 PDTA113ES Datenblatt Seite 7 PDTA113ES Datenblatt Seite 8 PDTA113ES Datenblatt Seite 9 PDTA113ES Datenblatt Seite 10 PDTA113ES Datenblatt Seite 11

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PDTA113ES Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypPNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)1 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)1 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce30 @ 40mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic150mV @ 1.5mA, 30mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1µA
Frequenz - Übergang-
Leistung - max500mW
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

47 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

VMT3

PDTC123JU,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70

DDTA143ZUA-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

MUN2233T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

230mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SC-59

RN1427TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 100mA, 1V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

300MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

S-Mini

Kürzlich verkauft

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TDK

FIXED IND 2.2UH 2.3A 102 MOHM

MF-MSMF260-2

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PTC RESET FUSE 6V 2.6A 1812

ADP150AUJZ-3.3-R7

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Analog Devices

IC REG LINEAR 3.3V 150MA TSOT5

MC68HC908GP32CFB

MC68HC908GP32CFB

NXP

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 44QFP

MAX942EUA+T

MAX942EUA+T

Maxim Integrated

IC COMPARATOR R-R 8-UMAX

AD420ARZ-32-REEL

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Analog Devices

IC DAC 16BIT V OR A-OUT 24SOIC

SMF5.0A

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Littelfuse

TVS DIODE 5V 9.2V SOD123F

ADP191ACBZ-R7

ADP191ACBZ-R7

Analog Devices

IC CTLR HIGH LSIDE PWR SW 4WLCSP

LTV-817S-TA1-D

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Lite-On Inc.

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

D1213A-04TS-7

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Diodes Incorporated

TVS DIODE 3.3V 10V TSOT-26

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