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PD20010-E

PD20010-E

Nur als Referenz

Teilenummer PD20010-E
PNEDA Teilenummer PD20010-E
Beschreibung TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 9.541
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PD20010-E Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPD20010-E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
PD20010-E, PD20010-E Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 235,22 KB)
PDFPD20010STR-E Datenblatt Cover
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PD20010-E Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2GHz
Gewinn11dB
Spannungstest13.6V
Nennstrom (Ampere)5A
Rauschzahl-
Stromtest150mA
Leistung - Leistung10W
Spannung - Nennspannung40V
Paket / FallPowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
LieferantengerätepaketPowerSO-10RF (Formed Lead)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.99GHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

100W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

TO-272BB

Lieferantengerätepaket

TO-272 WB-4

PTFA212001FV4R250XTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.14GHz

Gewinn

15.8dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1.6A

Leistung - Leistung

50W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-37260-2

2N5950_J35Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

15mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

BLF8G20LS-230VJ

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.81GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.8A

Leistung - Leistung

55W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1239B

Lieferantengerätepaket

CDFM6

MWT-1789SB

Microwave Technology Inc.

Hersteller

Microwave Technology Inc.

Serie

-

Transistortyp

MESFET

Frequenz

500MHz ~ 4GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

6.5V

Nennstrom (Ampere)

440mA

Rauschzahl

1.3dB

Stromtest

440mA

Leistung - Leistung

28dbm

Spannung - Nennspannung

6.5V

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89

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IRF9321TRPBF

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