PD20010STR-E Datenblatt
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Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 2GHz Gewinn 11dB Spannungstest 13.6V Nennstrom (Ampere) 5A Rauschzahl - Stromtest 150mA Leistung - Leistung 10W Spannung - Nennspannung 40V Paket / Fall PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) Lieferantengerätepaket PowerSO-10RF (Straight Lead) |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 2GHz Gewinn 11dB Spannungstest 13.6V Nennstrom (Ampere) 5A Rauschzahl - Stromtest 150mA Leistung - Leistung 10W Spannung - Nennspannung 40V Paket / Fall PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) Lieferantengerätepaket PowerSO-10RF (Straight Lead) |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 2GHz Gewinn 11dB Spannungstest 13.6V Nennstrom (Ampere) 5A Rauschzahl - Stromtest 150mA Leistung - Leistung 10W Spannung - Nennspannung 40V Paket / Fall PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) Lieferantengerätepaket PowerSO-10RF (Formed Lead) |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 2GHz Gewinn 11dB Spannungstest 13.6V Nennstrom (Ampere) 5A Rauschzahl - Stromtest 150mA Leistung - Leistung 10W Spannung - Nennspannung 40V Paket / Fall PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) Lieferantengerätepaket PowerSO-10RF (Formed Lead) |
