PBSS5130QAZ
Nur als Referenz
| Teilenummer | PBSS5130QAZ |
| PNEDA Teilenummer | PBSS5130QAZ |
| Beschreibung | TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3 |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 87.186 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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PBSS5130QAZ Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PBSS5130QAZ |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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PBSS5130QAZ Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 1A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 30V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 240mV @ 100mA, 1A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 130 @ 1A, 2V |
| Leistung - max | 325mW |
| Frequenz - Übergang | 170MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-XDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | DFN1010D-3 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 10mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 200nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 2V Leistung - max 200mW Frequenz - Übergang 520MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-85 Lieferantengerätepaket UMT3F |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 60mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 2V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang 120MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket PCP |
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