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BDV65B

BDV65B

Nur als Referenz

Teilenummer BDV65B
PNEDA Teilenummer BDV65B_105
Beschreibung POWER TRANSISTOR NPN TO218
Hersteller Central Semiconductor Corp
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Auf Lager 8.802
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BDV65B Ressourcen

Marke Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBDV65B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single

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BDV65B Technische Daten

HerstellerCentral Semiconductor Corp
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)12A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)100V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic-
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce1000 @ 5A, 4V
Leistung - max125W
Frequenz - Übergang60MHz
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-218-3
LieferantengerätepaketTO-218

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 500µA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

4000 @ 500mA, 10V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

Mini3-G3-B-B

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Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

220V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 10mA, 5V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

BDX34C

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

PNP - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 6mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

750 @ 3A, 3V

Leistung - max

70W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

MMBT2907A-7-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

ZX5T3ZTC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5.5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

185mV @ 550mA, 5.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

20nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 2V

Leistung - max

2.1W

Frequenz - Übergang

152MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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