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PBSS4160DS,115

PBSS4160DS,115

Nur als Referenz

Teilenummer PBSS4160DS,115
PNEDA Teilenummer PBSS4160DS-115
Beschreibung TRANS 2NPN 60V 1A 6TSOP
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 356.610
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PBSS4160DS Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPBSS4160DS,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
PBSS4160DS, PBSS4160DS Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 324,9 KB)
PDFPBSS4160DSZ Datenblatt Cover
PBSS4160DSZ Datenblatt Seite 2 PBSS4160DSZ Datenblatt Seite 3 PBSS4160DSZ Datenblatt Seite 4 PBSS4160DSZ Datenblatt Seite 5 PBSS4160DSZ Datenblatt Seite 6 PBSS4160DSZ Datenblatt Seite 7 PBSS4160DSZ Datenblatt Seite 8 PBSS4160DSZ Datenblatt Seite 9 PBSS4160DSZ Datenblatt Seite 10 PBSS4160DSZ Datenblatt Seite 11

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PBSS4160DS Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
Transistortyp2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)60V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic250mV @ 100mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce200 @ 500mA, 5V
Leistung - max420mW
Frequenz - Übergang220MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-74, SOT-457
Lieferantengerätepaket6-TSOP

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

7 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.7V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 350mA, 2V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

16-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

16-DIP

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 6V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

US6

DMC501010R

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

210 @ 2mA, 10V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

5-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

SMini5-F3-B

BC846UE6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Leistung - max

250mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

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