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NX7002BKSX

NX7002BKSX

Nur als Referenz

Teilenummer NX7002BKSX
PNEDA Teilenummer NX7002BKSX
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 6TSSOP
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 5.256
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NX7002BKSX Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNX7002BKSX
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NX7002BKSX, NX7002BKSX Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 726,74 KB)
PDFNX7002BKSX Datenblatt Cover
NX7002BKSX Datenblatt Seite 2 NX7002BKSX Datenblatt Seite 3 NX7002BKSX Datenblatt Seite 4 NX7002BKSX Datenblatt Seite 5 NX7002BKSX Datenblatt Seite 6 NX7002BKSX Datenblatt Seite 7 NX7002BKSX Datenblatt Seite 8 NX7002BKSX Datenblatt Seite 9 NX7002BKSX Datenblatt Seite 10 NX7002BKSX Datenblatt Seite 11

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NX7002BKSX Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.270mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds23.6pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket6-TSSOP
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

29A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

63mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2390pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

PSMN011-80YS,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

67A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2800pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

117W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

IPP80N06S2L09AKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 125µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2620pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

190W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3-1

Paket / Fall

TO-220-3

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, Polar3™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

300V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

210A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 105A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

268nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

16200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1890W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PLUS264™

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

IRFR014

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

FSA5157L6X

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ON Semiconductor

IC SWITCH SPDT 6MICROPAK

CY2309SXI-1H

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Cypress Semiconductor

IC CLK ZDB 9OUT 133MHZ 16SOIC

LTC3025EDC-1#TRPBF

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Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 500MA 6DFN

MF-USMF075-2

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Bourns

PTC RESET FUSE 6V 750MA 1210

AD7997BRUZ-0

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Analog Devices

IC ADC 10BIT SAR 20TSSOP

PM5022-101M-RC

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Bourns

FIXED IND 100UH 1.7A 190 MOHM

IRG4BC20KDSTRRP

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Infineon Technologies

IGBT 600V 16A 60W D2PAK

CAT93C46VI-GT3

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ON Semiconductor

IC EEPROM 1K SPI 2MHZ 8SOIC

IPS5451S

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Infineon Technologies

IC MOSFET HS PWR SW 35A D2PAK

4608X-101-332LF

4608X-101-332LF

Bourns

RES ARRAY 7 RES 3.3K OHM 8SIP

S25FL032P0XMFI001

S25FL032P0XMFI001

Cypress Semiconductor

IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC

BAV103,115

BAV103,115

Nexperia

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