IPP80N06S2L09AKSA1
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| Teilenummer | IPP80N06S2L09AKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IPP80N06S2L09AKSA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.066 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPP80N06S2L09AKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPP80N06S2L09AKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPP80N06S2L09AKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 80A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 52A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 125µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2620pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 190W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-3-1 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 750mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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