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NX3008PBKS,115

NX3008PBKS,115

Nur als Referenz

Teilenummer NX3008PBKS,115
PNEDA Teilenummer NX3008PBKS-115
Beschreibung MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOP
Hersteller Nexperia
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NX3008PBKS Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNX3008PBKS,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NX3008PBKS, NX3008PBKS Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 1.620,32 KB)
PDFNX3008PBKS Datenblatt Cover
NX3008PBKS Datenblatt Seite 2 NX3008PBKS Datenblatt Seite 3 NX3008PBKS Datenblatt Seite 4 NX3008PBKS Datenblatt Seite 5 NX3008PBKS Datenblatt Seite 6 NX3008PBKS Datenblatt Seite 7 NX3008PBKS Datenblatt Seite 8 NX3008PBKS Datenblatt Seite 9 NX3008PBKS Datenblatt Seite 10 NX3008PBKS Datenblatt Seite 11

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NX3008PBKS Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.1Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.75nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds46pF @ 15V
Leistung - max445mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket6-TSSOP

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Serie

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FET-Typ

4 N-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

830mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.75Ohm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19.6nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

914pF @ 6V

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

159mOhm @ 5A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.4nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

755pF @ 25V

Leistung - max

32W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A, 1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

325mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.7nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 25V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

TSMT8

SH8KA1GZETB

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

125pf @ 15V

Leistung - max

2W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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8-SOP

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