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NVMFD5C674NLT1G

NVMFD5C674NLT1G

Nur als Referenz

Teilenummer NVMFD5C674NLT1G
PNEDA Teilenummer NVMFD5C674NLT1G
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 42A S08FL
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.598
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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NVMFD5C674NLT1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNVMFD5C674NLT1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NVMFD5C674NLT1G, NVMFD5C674NLT1G Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 279,49 KB)
PDFNVMFD5C674NLWFT1G Datenblatt Cover
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NVMFD5C674NLT1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs14.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds640pF @ 25V
Leistung - max3W (Ta), 37W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerTDFN
Lieferantengerätepaket8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Super Junction

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

49A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 25V

Leistung - max

250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

FDC3601N

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

153pF @ 50V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

2N7002DW-7-G

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

UPA2690T1R-E2-AX

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A, 3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 10V

Leistung - max

2.3W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-PowerWDFN

Lieferantengerätepaket

6-HUSON (2x2)

IRF7316QTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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