DF23MR12W1M1B11BOMA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | DF23MR12W1M1B11BOMA1 |
| PNEDA Teilenummer | DF23MR12W1M1B11BOMA1 |
| Beschreibung | MOSFET MODULE 1200V 25A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.610 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DF23MR12W1M1B11BOMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DF23MR12W1M1B11BOMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
DF23MR12W1M1B11BOMA1, DF23MR12W1M1B11BOMA1 Datenblatt
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DF23MR12W1M1B11BOMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolSiC™+ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 25A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 25A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 620nC @ 15V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 800V |
| Leistung - max | 20mW |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller EPC Serie eGaN® FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.5A, 38A Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V Leistung - max - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.8nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 412pF @ 15V Leistung - max 900mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
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