DF23MR12W1M1B11BOMA1
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Teilenummer | DF23MR12W1M1B11BOMA1 |
PNEDA Teilenummer | DF23MR12W1M1B11BOMA1 |
Beschreibung | MOSFET MODULE 1200V 25A |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.610 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DF23MR12W1M1B11BOMA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module |
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Mfr. Artikelnummer | DF23MR12W1M1B11BOMA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt |
DF23MR12W1M1B11BOMA1, DF23MR12W1M1B11BOMA1 Datenblatt
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DF23MR12W1M1B11BOMA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | CoolSiC™+ |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 25A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 25A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 10mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 620nC @ 15V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 800V |
Leistung - max | 20mW |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Chassis Mount |
Paket / Fall | Module |
Lieferantengerätepaket | Module |
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