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DF23MR12W1M1B11BOMA1

DF23MR12W1M1B11BOMA1

Nur als Referenz

Teilenummer DF23MR12W1M1B11BOMA1
PNEDA Teilenummer DF23MR12W1M1B11BOMA1
Beschreibung MOSFET MODULE 1200V 25A
Hersteller Infineon Technologies
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DF23MR12W1M1B11BOMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDF23MR12W1M1B11BOMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DF23MR12W1M1B11BOMA1, DF23MR12W1M1B11BOMA1 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 583,63 KB)
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DF23MR12W1M1B11BOMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieCoolSiC™+
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionSilicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 25A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id5.5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs620nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2000pF @ 800V
Leistung - max20mW
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

317A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 158.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

448nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

27400pF @ 25V

Leistung - max

1136W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

EPC2101

EPC

Hersteller

EPC

Serie

eGaN®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.5A, 38A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 30V, 1200pF @ 30V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

FDS6930B

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.8nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

412pF @ 15V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

DMTH4011SPD-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11.1A (Ta), 42A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

805pF @ 20V

Leistung - max

2.6W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

PowerDI5060-8

SI7501DN-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel, Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.4A, 4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 7.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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