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APTM20DUM05G

APTM20DUM05G

Nur als Referenz

Teilenummer APTM20DUM05G
PNEDA Teilenummer APTM20DUM05G
Beschreibung MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 2.466
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APTM20DUM05G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTM20DUM05G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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APTM20DUM05G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.317A
Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 158.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs448nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds27400pF @ 25V
Leistung - max1136W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP6
LieferantengerätepaketSP6

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

389pF @ 10V

Leistung - max

730mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.9mOhm @ 10.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2230pF @ 50V

Leistung - max

2.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 10V

Leistung - max

280mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

700mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 700mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

113pF @ 10V

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88 (SC-70-6)

NDC7003P

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ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

340mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 340mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

66pF @ 25V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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