NVMFD5483NLWFT3G
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| Teilenummer | NVMFD5483NLWFT3G |
| PNEDA Teilenummer | NVMFD5483NLWFT3G |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.526 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 15 - Apr 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NVMFD5483NLWFT3G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NVMFD5483NLWFT3G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
NVMFD5483NLWFT3G, NVMFD5483NLWFT3G Datenblatt
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NVMFD5483NLWFT3G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.4nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 668pF @ 25V |
| Leistung - max | 3.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Cree/Wolfspeed Serie Z-REC™ FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 444A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 400A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 105mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1127nC @ 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 3000W Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp - Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1295pF @ 10V Leistung - max 1.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie TrenchPLUS FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 65V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.6mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44.6nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3643pF @ 25V Leistung - max 5W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 20-SO |
Hersteller IXYS Serie HiPerFET™, TrenchT2™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 120A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 178nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10500pF @ 25V Leistung - max 170W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUSi5-Pak™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS i4-PAC™ |
