Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NVMD4N03R2G

NVMD4N03R2G

Nur als Referenz

Teilenummer NVMD4N03R2G
PNEDA Teilenummer NVMD4N03R2G
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.640
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NVMD4N03R2G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNVMD4N03R2G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NVMD4N03R2G, NVMD4N03R2G Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 142,27 KB)
PDFNVMD4N03R2G Datenblatt Cover
NVMD4N03R2G Datenblatt Seite 2 NVMD4N03R2G Datenblatt Seite 3 NVMD4N03R2G Datenblatt Seite 4 NVMD4N03R2G Datenblatt Seite 5 NVMD4N03R2G Datenblatt Seite 6 NVMD4N03R2G Datenblatt Seite 7 NVMD4N03R2G Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NVMD4N03R2G Datasheet
  • where to find NVMD4N03R2G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NVMD4N03R2G
  • NVMD4N03R2G PDF Datasheet
  • NVMD4N03R2G Stock

  • NVMD4N03R2G Pinout
  • Datasheet NVMD4N03R2G
  • NVMD4N03R2G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NVMD4N03R2G Price
  • NVMD4N03R2G Distributor

NVMD4N03R2G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds400pF @ 20V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SH8K26GZ0TB

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.9nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 10V

Leistung - max

2W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

IRF7338PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.3A, 3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 9V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

FDMS3660S

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A, 30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1765pF @ 15V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

Power56

SIA777EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V, 12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.5A, 4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

225mOhm @ 1.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

5W, 7.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SC-70-6 Dual

MCH6605-TL-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 4V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

140mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22Ohm @ 40mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.32nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6.2pF @ 10V

Leistung - max

800mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

6-MCPH

Kürzlich verkauft

3362W-1-103

3362W-1-103

Bourns

TRIMMER 10K OHM 0.5W PC PIN SIDE

BAV99

BAV99

Panasonic Electronic Components

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23-3

1N4007G

1N4007G

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

AOD413

AOD413

Alpha & Omega Semiconductor

MOSFET P-CH 40V 24A TO252

TAJD336K035RNJ

TAJD336K035RNJ

CAP TANT 33UF 10% 35V 2917

MAX3232CSE+T

MAX3232CSE+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SO

ASPIAIG-F7030-4R7M-T

ASPIAIG-F7030-4R7M-T

Abracon

FIXED IND 4.7UH 9A 26.7MOHM

A42MX09-PQ100

A42MX09-PQ100

Microsemi

IC FPGA 83 I/O 100QFP

MAX3232ESE+

MAX3232ESE+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SO

ISL3152EIPZ

ISL3152EIPZ

Renesas Electronics America Inc.

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8DIP

S-8261ABMMD-G3MT2U

S-8261ABMMD-G3MT2U

ABLIC

IC BATT PROTECTION

TAJC337M006RNJ

TAJC337M006RNJ

CAP TANT 330UF 20% 6.3V 2312