NVMD3P03R2G
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| Teilenummer | NVMD3P03R2G |
| PNEDA Teilenummer | NVMD3P03R2G |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 24.732 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NVMD3P03R2G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NVMD3P03R2G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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NVMD3P03R2G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.34A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 3.05A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 24V |
| Leistung - max | 730mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 87mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 15V Leistung - max 700mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 6-MicroFET (2x2) |
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