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FDS8960C

FDS8960C

Nur als Referenz

Teilenummer FDS8960C
PNEDA Teilenummer FDS8960C
Beschreibung MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.820
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FDS8960C Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDS8960C
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDS8960C, FDS8960C Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 273,83 KB)
PDFFDS8960C Datenblatt Cover
FDS8960C Datenblatt Seite 2 FDS8960C Datenblatt Seite 3 FDS8960C Datenblatt Seite 4 FDS8960C Datenblatt Seite 5 FDS8960C Datenblatt Seite 6 FDS8960C Datenblatt Seite 7 FDS8960C Datenblatt Seite 8 FDS8960C Datenblatt Seite 9 FDS8960C Datenblatt Seite 10

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FDS8960C Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)35V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.7A, 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.7nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds570pF @ 15V
Leistung - max900mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

250mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.3nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

33pF @ 5V

Leistung - max

272mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 600mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 15V

Leistung - max

680mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

DMC2041UFDB-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.7A, 3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

713pF @ 10V

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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