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NTZD5110NT5G

NTZD5110NT5G

Nur als Referenz

Teilenummer NTZD5110NT5G
PNEDA Teilenummer NTZD5110NT5G
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.426
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 11 - Jan 16 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NTZD5110NT5G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTZD5110NT5G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NTZD5110NT5G, NTZD5110NT5G Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 116,78 KB)
PDFNTZD5110NT5G Datenblatt Cover
NTZD5110NT5G Datenblatt Seite 2 NTZD5110NT5G Datenblatt Seite 3 NTZD5110NT5G Datenblatt Seite 4 NTZD5110NT5G Datenblatt Seite 5

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NTZD5110NT5G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.294mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds24.5pF @ 20V
Leistung - max250mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSOT-563

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IRF7750

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 15V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

DMC4050SSD-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37.56nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1790.8pF @ 20V

Leistung - max

1.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

EFC4630R-TR

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

24V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-XFBGA

Lieferantengerätepaket

EFCP1313-4CC-037

IRF8313TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.5mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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