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SI5920DC-T1-E3

SI5920DC-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SI5920DC-T1-E3
PNEDA Teilenummer SI5920DC-T1-E3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 3.438
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SI5920DC-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI5920DC-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI5920DC-T1-E3, SI5920DC-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 107,93 KB)
PDFSI5920DC-T1-GE3 Datenblatt Cover
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SI5920DC-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)8V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 6.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds680pF @ 4V
Leistung - max3.12W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket1206-8 ChipFET™

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Ta), 5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.8nC @ 10V, 22nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 20V, 1175pF @ 20V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

SI1024X-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

485mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

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CMLDM7002AJ TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

280mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.59nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 5V

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