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NTUD3129PT5G

NTUD3129PT5G

Nur als Referenz

Teilenummer NTUD3129PT5G
PNEDA Teilenummer NTUD3129PT5G
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 0.14A SOT-963
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.852
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NTUD3129PT5G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTUD3129PT5G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NTUD3129PT5G, NTUD3129PT5G Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 81,92 KB)
PDFNTUD3129PT5G Datenblatt Cover
NTUD3129PT5G Datenblatt Seite 2 NTUD3129PT5G Datenblatt Seite 3 NTUD3129PT5G Datenblatt Seite 4 NTUD3129PT5G Datenblatt Seite 5

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NTUD3129PT5G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.140mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds12pF @ 15V
Leistung - max125mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-963
LieferantengerätepaketSOT-963

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

430mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 16V

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563-6

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

970pF @ 25V

Leistung - max

70W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

PowerFlat™ (5x6)

FDS8333C

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.1A, 3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

282pF @ 10V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

UM6K34NTCN

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 0.9V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

26pF @ 10V

Leistung - max

120mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

UMT6

SI4943CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19.2mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1945pF @ 10V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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