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FDS8333C

FDS8333C

Nur als Referenz

Teilenummer FDS8333C
PNEDA Teilenummer FDS8333C
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.604
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 9 - Feb 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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FDS8333C Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDS8333C
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDS8333C, FDS8333C Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 134,75 KB)
PDFFDS8333C Datenblatt Cover
FDS8333C Datenblatt Seite 2 FDS8333C Datenblatt Seite 3 FDS8333C Datenblatt Seite 4 FDS8333C Datenblatt Seite 5 FDS8333C Datenblatt Seite 6 FDS8333C Datenblatt Seite 7 FDS8333C Datenblatt Seite 8

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FDS8333C Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.1A, 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds282pF @ 10V
Leistung - max900mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V

Leistung - max

38W (Tc), 83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Lieferantengerätepaket

8-PowerPair® (6x5)

JANTX2N7334

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/597

FET-Typ

4 N-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 600mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

MO-036AB

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.7A, 1.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 10V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2020pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.9mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1165pF @ 10V

Leistung - max

2.7W

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