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NTMFS4821NT3G

NTMFS4821NT3G

Nur als Referenz

Teilenummer NTMFS4821NT3G
PNEDA Teilenummer NTMFS4821NT3G
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.334
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NTMFS4821NT3G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTMFS4821NT3G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NTMFS4821NT3G, NTMFS4821NT3G Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 127,23 KB)
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NTMFS4821NT3G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.8.8A (Ta), 58.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.95mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 4.5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1400pF @ 12V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)870mW (Ta), 38.5W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Fall8-PowerTDFN, 5 Leads

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FDAF75N28

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

280V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

46A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

41mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

144nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

215W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3PF

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

FDB9509L-F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

SIHB065N60E-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

E

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

VP0550N3-G-P013

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

54mA (Tj)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125Ohm @ 10mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

70pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

IPP80N06S405AKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 60µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

81nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

107W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3-1

Paket / Fall

TO-220-3

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