NTLJD4150PTBG
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| Teilenummer | NTLJD4150PTBG |
| PNEDA Teilenummer | NTLJD4150PTBG |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.652 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NTLJD4150PTBG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NTLJD4150PTBG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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NTLJD4150PTBG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 15V |
| Leistung - max | 700mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 6-WDFN (2x2) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench®, SyncFET™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.5A, 8.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 15V Leistung - max 900mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
