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NTLJD3119CTBG

NTLJD3119CTBG

Nur als Referenz

Teilenummer NTLJD3119CTBG
PNEDA Teilenummer NTLJD3119CTBG
Beschreibung MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
Hersteller ON Semiconductor
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NTLJD3119CTBG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTLJD3119CTBG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NTLJD3119CTBG, NTLJD3119CTBG Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 157,9 KB)
PDFNTLJD3119CTAG Datenblatt Cover
NTLJD3119CTAG Datenblatt Seite 2 NTLJD3119CTAG Datenblatt Seite 3 NTLJD3119CTAG Datenblatt Seite 4 NTLJD3119CTAG Datenblatt Seite 5 NTLJD3119CTAG Datenblatt Seite 6 NTLJD3119CTAG Datenblatt Seite 7 NTLJD3119CTAG Datenblatt Seite 8 NTLJD3119CTAG Datenblatt Seite 9 NTLJD3119CTAG Datenblatt Seite 10 NTLJD3119CTAG Datenblatt Seite 11

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NTLJD3119CTBG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieµCool™
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.6A, 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds271pF @ 10V
Leistung - max710mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-WDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket6-WDFN (2x2)

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Hersteller

IXYS

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Super Junction

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

47A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 44A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

190nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 100V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

ISOPLUS264™

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

59mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

496pF @ 10V

Leistung - max

10.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® ChipFET™ Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® ChipFet Dual

AON6973A

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

SRFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22A, 30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1037pF @ 15V

Leistung - max

3.6W, 4.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6)

FDMA1029PZ

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 10V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-MicroFET (2x2)

SI4670DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

680pF @ 13V

Leistung - max

2.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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