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NTD5406NG

NTD5406NG

Nur als Referenz

Teilenummer NTD5406NG
PNEDA Teilenummer NTD5406NG
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 70A DPAK
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.804
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NTD5406NG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTD5406NG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NTD5406NG, NTD5406NG Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 76,62 KB)
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NTD5406NG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.12.2A (Ta), 70A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2500pF @ 32V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3W (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDPAK
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

CSD17576Q5BT

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4430pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-VSONP (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

IXTK110N30

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

MegaMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

300V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

110A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

390nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

730W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXTK)

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

SQD23N06-31L_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

845pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

37W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SSM3J120TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIV

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 3A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.3nC @ 4V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1484pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

UFM

Paket / Fall

3-SMD, Flat Leads

DMPH4023SK3-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.7nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1091pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

2773021447

2773021447

Fair-Rite Products

FERRITE BEAD 2SMD 1LN

MX25U3235FZNI-10G

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Macronix

IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON

10MQ060NTR

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Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 60V 2.1A SMA

0452007.MRL

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Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 72VAC 60VDC 2SMD

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FERRITE BEAD 220 OHM 0603 1LN

OP07CSZ

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Analog Devices

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LT3012EFE#PBF

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Linear Technology/Analog Devices

IC REG LIN POS ADJ 250MA 16TSSOP

PZTA06

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ON Semiconductor

TRANS NPN 80V 0.5A SOT-223

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IC DEMULTIPLEXER 48TQFN

L6221AD

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STMicroelectronics

TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 20SOIC

TR2/TCP1.25-R

TR2/TCP1.25-R

Eaton - Electronics Division

FUSE BRD MNT 1.25A 250VAC 2SMD