Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NSVMUN5236T1G

NSVMUN5236T1G

Nur als Referenz

Teilenummer NSVMUN5236T1G
PNEDA Teilenummer NSVMUN5236T1G
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 0.202W SC70
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.748
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NSVMUN5236T1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNSVMUN5236T1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
NSVMUN5236T1G, NSVMUN5236T1G Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 130,43 KB)
PDFMUN5236T1G Datenblatt Cover
MUN5236T1G Datenblatt Seite 2 MUN5236T1G Datenblatt Seite 3 MUN5236T1G Datenblatt Seite 4 MUN5236T1G Datenblatt Seite 5 MUN5236T1G Datenblatt Seite 6 MUN5236T1G Datenblatt Seite 7 MUN5236T1G Datenblatt Seite 8 MUN5236T1G Datenblatt Seite 9 MUN5236T1G Datenblatt Seite 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NSVMUN5236T1G Datasheet
  • where to find NSVMUN5236T1G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NSVMUN5236T1G
  • NSVMUN5236T1G PDF Datasheet
  • NSVMUN5236T1G Stock

  • NSVMUN5236T1G Pinout
  • Datasheet NSVMUN5236T1G
  • NSVMUN5236T1G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NSVMUN5236T1G Price
  • NSVMUN5236T1G Distributor

NSVMUN5236T1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)100 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)100 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA
Frequenz - Übergang-
Leistung - max202mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSC-70-3 (SOT323)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

DRA2533Q0L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

3.1 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.6 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 100mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

Mini3-G3-B

DDTB123EC-7-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

2.2 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

39 @ 50mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

UNR911NJ0L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

80MHz

Leistung - max

125mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

Lieferantengerätepaket

SSMini3-F1

RN2412TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

S-Mini

BCR129E6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

150MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Kürzlich verkauft

AD7305BRZ

AD7305BRZ

Analog Devices

IC DAC 8BIT V-OUT 20SOIC

ADM7160AUJZ-3.3-R2

ADM7160AUJZ-3.3-R2

Analog Devices

IC REG LINEAR 3.3V 200MA TSOT5

MAX3221EAE+T

MAX3221EAE+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 16SSOP

AD9765ASTZ

AD9765ASTZ

Analog Devices

IC DAC 12BIT A-OUT 48LQFP

EP1C20F324C7

EP1C20F324C7

Intel

IC FPGA 233 I/O 324FBGA

HA5024IP

HA5024IP

Renesas Electronics America Inc.

IC AMP VIDEO 125MHZ QUAD 20DIP

GRM43ER71A226KE01L

GRM43ER71A226KE01L

Murata

CAP CER 22UF 10V X7R 1812

EDZVT2R16B

EDZVT2R16B

Rohm Semiconductor

DIODE ZENER 16V 150MW EMD2

TL062ID

TL062ID

STMicroelectronics

IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SO

CY62187EV30LL-55BAXI

CY62187EV30LL-55BAXI

Cypress Semiconductor

IC SRAM 64M PARALLEL 48FBGA

NC7SZ19P6X

NC7SZ19P6X

ON Semiconductor

IC DECODER/DEMUX UHS 1OF2 SC70-6

MPZ2012S300AT000

MPZ2012S300AT000

TDK

FERRITE BEAD 30 OHM 0805 1LN