NRVTS10100EMFST1G
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Teilenummer | NRVTS10100EMFST1G |
PNEDA Teilenummer | NRVTS10100EMFST1G |
Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 100V 10A 5DFN |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 7.182 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NRVTS10100EMFST1G Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | NRVTS10100EMFST1G |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
NRVTS10100EMFST1G, NRVTS10100EMFST1G Datenblatt
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NRVTS10100EMFST1G Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 720mV @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 50µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F. | - |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Lieferantengerätepaket | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 600mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 700mV @ 600mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall MPG06, Axial Lieferantengerätepaket MPG06 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
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