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NRVB560MFST1G

NRVB560MFST1G

Nur als Referenz

Teilenummer NRVB560MFST1G
PNEDA Teilenummer NRVB560MFST1G
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 60V 5A 5DFN
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.824
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NRVB560MFST1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNRVB560MFST1G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
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NRVB560MFST1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)60V
Current - Average Rectified (Io)5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If780mV @ 5A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr150µA @ 60V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerTDFN, 5 Leads
Lieferantengerätepaket5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

860mV @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

1510pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

SlimDPAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

NSR01F30MXT5G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

100mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

0.9pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-XDFN

Lieferantengerätepaket

2-X3DFN (0.62x0.32)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

CMMR1U-08 TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

9pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123F

Lieferantengerätepaket

SOD-123F

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

SBR3U30P1-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

SBR®

Diodentyp

Super Barrier

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

430mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

400µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

POWERDI®123

Lieferantengerätepaket

PowerDI™ 123

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

HER304GA-G

Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 300V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AA, DO-27, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-27

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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