NGTB15N120IHTG
Nur als Referenz
| Teilenummer | NGTB15N120IHTG |
| PNEDA Teilenummer | NGTB15N120IHTG |
| Beschreibung | IGBT 1200V 15A BIPOLAR TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.636 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NGTB15N120IHTG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NGTB15N120IHTG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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NGTB15N120IHTG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Leistung - max | - |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | - |
| Gate Charge | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 55A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A Leistung - max 188W Schaltenergie 280µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 70nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/177ns Testbedingung 400V, 15A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 160A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 80A Leistung - max 500W Schaltenergie 4.2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 240nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 60ns/140ns Testbedingung 480V, 80A, 2.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264AA(IXSK) |
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Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2500V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 116A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 750A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 64A Leistung - max 500W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 400nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 160ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUSi5-Pak™ Lieferantengerätepaket ISOPLUSi5-Pak™ |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ 5 IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 50A Leistung - max 274W Schaltenergie 770µJ (on), 880µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 36ns/294ns Testbedingung 400V, 25A, 23.1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 62ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-4 Lieferantengerätepaket PG-TO247-4 |
