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NE662M04-A

NE662M04-A

Nur als Referenz

Teilenummer NE662M04-A
PNEDA Teilenummer NE662M04-A
Beschreibung RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F
Hersteller CEL
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Auf Lager 5.292
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NE662M04-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE662M04-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE662M04-A, NE662M04-A Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 1.263,12 KB)
PDF2SC5508-A Datenblatt Cover
2SC5508-A Datenblatt Seite 2 2SC5508-A Datenblatt Seite 3 2SC5508-A Datenblatt Seite 4 2SC5508-A Datenblatt Seite 5 2SC5508-A Datenblatt Seite 6 2SC5508-A Datenblatt Seite 7 2SC5508-A Datenblatt Seite 8 2SC5508-A Datenblatt Seite 9 2SC5508-A Datenblatt Seite 10

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NE662M04-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)3.3V
Frequenz - Übergang25GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.1dB @ 2GHz
Gewinn18dB
Leistung - max115mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 5mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-343F
LieferantengerätepaketSOT-343F

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6.7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Gewinn

9dB

Leistung - max

800mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 30mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

PCP

44086H

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 20mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

13dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

125 @ 20mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Frequenz - Übergang

2.3GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB

Leistung - max

10.2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 300mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Betriebstemperatur

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