NDS8926
Nur als Referenz
| Teilenummer | NDS8926 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | NDS8926 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET DUAL N-CH 20V 8-SO | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 39 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 18 - Apr 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * | ||||||||||||||||||
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NDS8926 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NDS8926 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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NDS8926 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 10V |
| Leistung - max | 900mW |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.45A Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 1.45A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 265pF @ 16V Leistung - max 500mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket Micro8™ |
Hersteller Serie NexFET™ FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Logic Level Gate, 5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V Leistung - max 12W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-VSON-CLIP (5x6) |
Hersteller Micro Commercial Co Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate, 1.8V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A, 4.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 10V Leistung - max - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket DFN2020-6U |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 195mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 251pF @ 25V Leistung - max 2.3W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 12.5V Leistung - max 3.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
